در گام بعد، عکس فرایند قبل را انجام می‌دهیم. ابتدا بر روی زیرلایه FTO به روش هیدروترمال نانوسیم‌ها را رشد می‌دهیم. چون در این مرحله ابتدا از روش هیدروترمال استفاده کرده‌ایم و نانوسیم‌ها را بر روی زیرلایه خام‌ FTO رشد داده‌ایم، یکنواختی قطر نانو‌سیم‌های بدست آمده دلالت بر تاثیر زیرلایه بر روی رشد نانو ساختار دارد. البته شایان ذکر است به هم ریختگی نانوسیم‌ها و عدم تشکیل ساختارهای هم خط شده به عدم وجود و غیر یکنواخت بودن زیرلایه دانه‌ای نسبت داده می‌شود. سپس با بهره گرفتن از روش الکتروانباشت، نانوحفره‌های اکسید روی را بر روی نانوسیم‌ها تولید می‌کنیم. برای بررسی اثر ولتاژ، آزمایش الکتروانباشت را در ولتاژهای ۰٫۵ ولت، ۱٫۰ولت ، ۱٫۵ولت و ۲٫۰ ولت انجام می‌دهیم. نتایج نشان می‌دهد که در ولتاژ نیم ولت نانوعدسی‌های نسبتا یک دست تولید می‌شوند و در ولتاژ یک ولت نانو عدسی‌ها با اشکال دیگر مشاهده می‌شود. در ولتاژ ۵/۱ ولت حفره‌های عمیق تولید می‌شوند که جای بررسی بیشتری دارد و در ولتا‌ژ ۲ ولت نانوساختارهای کلوخه‌ای تشکیل می‌شود. بدین ترتیب با تغییر شکل نانوساختارهای زیرلایه‌ها امکان تولید انواع نانوساختارهای با تخلخل متفاوت فراهم می‌شود. الگویXRD ، ساختار بلوری این نانوساختارها را که مطابق با پراکندگی از ZnO بلوری شش گوشه است، نشان می‌دهد. همچنین خواص اپتیکی نانو ساختارهای ترکیبی اکسیدروی حاصل، توسط UV بررسی گردید.

در طول موج ۳۲۵ نانومتر یک جذب تقریبا یکسان در هر سه نانوساختار اتفاق می‌افتد که این پدیده مریوط به یکسان بودن جنس ماده استفاده شده (اکسید روی) در هر سه نوع ساختار می‌باشد.
پیشنهادات
استفاده از ماده PEI برای افزایش طول نانو سیم ها در آزمایش هیدروترمال
در روش الکترو انباشت مورفولوژی نانوساختارهای بدست آمده به فاکتورهای زیر بستگی دارد:
ولتاژ محلول - دمای محلول - غلظت محلول
استفاده از دستگاه پتانسیو استات با سه الکترود در روش الکتروانباشت
منابع
[۱] C. Kumar. Nanomaterials for Biosensors, Wiley-VCH, Weinheim (2007).
[۲] L. Menon, S. Bandyopadhyay, H. Nalw, “ Synthesis of nanowires in porous alumina in quantum dots and nanowires”, American Scientific Publishers, Stevens Ranch, California, 142 (2003).
[۳] G. Riveros, H. Gomez, A. Cortes, R. Marrotti, E. Dalchiele. J. Appl .Phys. A 81, 17 (2005).
[۴] D. Laroze, J. Escrig, P. Landeros, D. Altbir, M. Vázquez, P. Vargas, Cond. Matt. Mater. Sci. 1. 611728 (2006).
[۵] N. C. Welsh, J. Inst. Met. 85, 129 (1956).
[۶] H. Masuda, K. Fukuda, Science. 268, 1466 (1995).
[۷] W. Yanqi, “Arrays of ZnO Nanowire for Photovoltaic Devices Dessertation”, Ph.D. Thesis, City University of Hong Kong (2009).
[۸] V. V. Kislyuk, O. P. Dimitriev, J. Nanosci. Nanotech. 8, 131 (2008).
[۹] S. R. Ahmed, P. Kofinas, J. Magn. Mater. 288, 219 (2005).
[۱۰]  T. Tsuji, T. Hamagami, T. Kawamur, J. Yamaki, M. Tsuji, Appl. Surf. Sci. 243, 214 (2005).
[۱۱]   A. S. Edelstein, R.C. Cammarata, “Nanomaterials:Synthesis, Properties and Applications”, USA, Institute of Physics Publishing (1996).
[۱۲] Z .Guo, L.Tan, “Fundamentals and Applications of Nanomaterials”, USA, Artech House (2009).
[۱۳] T. Pradeep, “Nano: The Essential”, New Delhi, Tata McGraw-Hill Publishing Company (2007).
[۱۸]  Y.R. Reddy,“An Introduction to Thin Films”,E. I. T,Eritrea (2010).
[۱۹] A. Wagendristel, Y. Wang, “An Introduction of Physics and Technology of Thin Films”, World scientific publishing Cc. Pte. Ltd (1994).
[۲۰] R. W. Berry, P. M. Hall , M.T. Harris “Thin film Technology”, Van Nostrand Company (1968).
[۲۱] M.Ohering, “Materials Science of Thin Films, Deposition and Structure”, ۲nd Edition, New York, Academic Press (2002).
[۲۲] M.Niederberger, N.Pinna “Metal Oxide Nanoparticles in Organic Solvents: Synthesis, Formation, Assembly and Application (Engineering Materials and Processes)”, Springer (2009).
[۲۳] S. Komarneni, Current Science. 85, 1734 (2003).
[۲۴] ­ L. E. Greene et al., Nano Lett. 5, 1231 (2005).
[۲۵] A. Elshabini, F. D. Barlow; ” Thin Film Technology Handbook", McGraw-Hill (1997).
[۲۶] H. Pierson , Handbook Of Chemical Vapor Deposition (CVD), Noyes Publications (1999).
[۲۷] T. Soga, “Nanostructured Materials for Solar Energy Conversion” (Fundamentals of Solar Cell), Elsevier (2006).
[۲۸] N. Dasgupta, , A.Dasgupta, “Semiconductor Devices, Modelling and Technology”, Prentic Hall of India, New Delhi (2007).
[۲۹]  P. Wurfel, “Physics of Solar Cell FromPrenciples to New Concepts”, John Wiley & Sons, Inc. (2005).
[۳۰] Fonash, J. Stephen, “Solar Cell Device Physics”, Second Edition, USA, Elsevier Inc. (2010).
[۳۱] C. Klingshirn, Phys. Stat. Sol. 244, 3027 (2007).
[۳۲] S. Singh et al., J. Phys. D: Appl.Phys.40, 6312(2007).
[۳۳] M. Goano, F. Bertazzi, M. Penna, E. Bellotti, J. Appl. Phys. 102,083709 (2007).
[۳۴] A. B. Djurisic, A. M. C. Ng, X. Y. Chen, Prog. Quantum electronics. 34, 191 (2010).
[۳۵] M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[۳۶] Z. L. Wang, J. H. Song, Science 312, 242 (2006).
[۳۷] U. Qzgur, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[۳۸] S. Singh et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 40 , 6312(2007).
[۳۹] S.J. Pearton, D.P. Norton, K. Ip, Y.W. Heo, T. Steiner, Prog.Mater.Sci. 50, 293 (2005).
[۴۰] Z. L. Wang, Materials Today 7, 26 (2004).
[۴۱] S. Baruah , J. Dutta, J. Crystal Growth 311, 2549 (2009).